Физика / 10 Класс / Полевые транзисторы

Автор: Журкин Д.В. Спирин О.В. гр. 21301
Доклад на тему Полевые транзисторы
Устройство МДП транзисторов
МДП-транзистор
Характеристики МОП ПТ в области плавного канала
Характеристики МОП ПТ в области отсечки
Эффект смещения подложки
Малосигнальные параметры МДП-транзистора
Влияние типа канала на ВАХ-и МДП-транзисторов
ВАХ МДП-транзистора в области сильной и слабой инверсии
МДП-Транзистор как элемент памяти
МДП-Транзистор как элемент энергозависимой памяти
Конструкция МНОП-транзистор
Зонные диаграммы МНОП?транзистора в различных режимах работы
МОП-Транзистор с плавающим затвором
Зонная диаграмма МОП ПТ с плавающим затвором
Основные соотношения для МОП ПТ с плавающим затвором
Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода
Вольт-амперные характеристики в ПТ с затвором в виде р-n
Микроминиатюризация МДП-приборов
Микроминиатюризация процессоров Intel
P.S. применение ПТ
Полевой транзистор - индикатор поля
Автор: Ночовнова А.Л. 21302
Скачать доклад: Полевые транзисторы (иллюстрации)
Униполярный транзистор Хейла
Схематичное изображение полевого транзистора согласно Шокли
Принцип работы
Стоковые характеристики
Эквивалентная схема полевого транзистора с изолированным затвором
Крутизна полевых транзисторов в зависимости от суммарной емкости затвора
Зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе
Полупроводниковые материалы пригодные для изготовления полевых транзисторов
Зависимость крутизны от температуры
Выполнил: студент 3-го курса ФТФ гр. 21305 Ковригин Артём Владимирович
Доклад на тему Полевые транзисторы
МДП - транзистор как элемент памяти
Мноп - транзистор (структура)
Физические процессы в МНОП ПТ
Анимация работы МНОП транзистора
МОП-Транзистор с плавающим затвором
Физические процессы в МОП ПТ с плавающим затвором
Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода
Вольт-амперные характеристики в ПТ с затвором в виде р-n
Быстродействие ПТ с затвором в виде р-n перехода
Микроминиатюризация МДП-приборов
Физические ограничения микроминиатюризации
Презентация: Устройство полевого транзистора
Схема включения ПТ в цепь
Конструкция МДП-транзистора
Принцип действия МДП транзисторов (распределение зарядов при нулевых напряжениях на электродах)
Условно-графические обозначения
Схемы включения полевого транзистора
Вольт - амперные характеристики ПТ со встроеным каналом n- типа: а - стоковые; б - стоко - затворные
Выполнил: Климов Д.А. Студент группы 21303
Презентация на тему: Полевые транзисторы как элементы памяти
Ячейка памяти на основе МДП-транзистора
Типы МДП-транзисторов для репрограммируемых элементов памяти (РПЗУ)
Зонная диаграмма МНОП-транзистора
Типы МДП-транзисторов для репрограммируемых элементов памяти (РПЗУ)
Зонная диаграмма МОП-транзистора
МОП ПТ с плавающим затвором механизмы записи информации
Туннельная инжекция Фаулера-Нордгейма
Инжекция горячих электронов при лавинном умножении в области канала вблизи стока
Инжекция горячих электронов и дырок при межзонном туннелировании
От транзисторов к флэш
Автор: Кравченко Александр ФТФ, гр.21305
Доклад на тему: Зонная диаграмма МНОП транзистора
Введение. МДП-Транзистор как элемент памяти
МДП-Транзистор как элемент энергозависимой памяти. МНОП-Транзистор
РПЗУ
Конструкция МНОП-транзистор
Зонные диаграммы МНОП-транзистора в различных режимах работы
Оценка Величины инжектированного заряда
МОП-Транзистор с плавающим затвором
Зонная диаграмма МОП ПТ с плавающим затвором
Основные соотношения для МОП ПТ с плавающим затвором
Основные Обозначения
Слайд шоу МДП (МОП) - транзисторы - -полевые транзисторы с изолированным затвором
МДП (МОП) - транзисторы со встроенным каналом
Условное графическое обозначение МДП - транзисторов со встроенным каналом
Стоковая характеристика / МДП - транзисторов со встроенным каналом
МДП (МОП) - транзисторы с индуцированным каналом
Условное графическое обозначение МДП - транзисторов с индуцированным каналом
Стоковая характеристика МДП - транзисторов с индуцированным каналом
Стокозатворная характеристика МДП - транзисторов с индуцированным каналом
Обозначение полевых транзисторов
Выполнила: Якушева Ю.В. / Научный руководитель: Гуртов В.А.
Урок-презентация Псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью 2D-электронов в канале (pHEMT)
Цель работы
Задачи работы
Поисковые Internet системы
Терминология
Структура и зонная диаграмма HEMT AlGaAs/GaAs
Структура и зонная диаграмма pHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs
Основные соотношения, характеризующие ВАХ pHEMT
Концентрация 2D-электронов в канале зависит от положения энергии Ферми (напряжения на затворе) Модель DasGupta - аналитическая модель для pHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs- совпадает с численным расчетом
Насыщение дрейфовой скорости
Выводы
Структура HEMT AlGaAs/GaAs
Зонная диаграмма HEMT AlGaAS/GaAs
Структура pHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs
Зонная диаграмма pHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs
Концентрация 2D-электронов в канале зависит от положения энергии Ферми (напряжения на затворе) Модель DasGupta - аналитическая модель для pHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs- совпадает с численным расчетом
Аналитические выражения для параметров pHEMT в модели DasGupta
Автор: Салпагрова М. гр. 21306
Презентация к уроку МНОП-транзисторы
Понятие полевого транзистора
Структура МНОП транзистора
Физические процессы